8 月 20 日，道益静电控制（上海）有限公司领导组织区域销售经理一行 9 人至我司昆山工厂进行一天学习参观...

7 月 10 日，公司陈总一行 3 人及上海道益静电王总一并赴江苏徐州天科合达半导体有限公司进行业务拜访。向天科合达业务及研发负责人详细介绍了本公司的晶圆选别机和即将出台的...

2 月 25 日，总经理陈文顶携公司二位高级工程师奔赴深圳、东莞两地，开启了为期 4 天的产品巡演交流活动，分别与行业内从事晶圆设计，制造，封测，贸易的多个企业负责人交流了...

据市场研究机构预测，第三代半导体市场规模正在快速增长，预计未来几年的年复合增长率将超过 30%。这主要是受到新能源汽车、5G 通信、消费电子等领域的强劲需求推动。 在碳化硅晶圆制造技术上，大尺寸晶圆的研发和量产正在加速推进。从 6 英寸晶圆向 8 英寸晶圆的过渡取得了阶段性成果，更大尺寸的晶圆意味着在单片晶圆上可以制造更多的芯片，有助于降低芯片的成本。

碳化硅（英语：silicon carbide，carborundum），化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片、离合器和防弹背心等需要高耐用度的材料中，在诸如发光二极管、早期的无线电探测器之类的电子器件制造中也有使用。如今碳化硅被广泛用于制造高温、高压半导体。使用Lely法能生长出大块的碳化硅单晶。人造莫桑石的宝石就是切割由Lely法制备的大块碳化硅单晶获得的。

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。